Qualcomm và Samsung vừa hợp tác với nhau để giới thiệu ra thị trường con chip Snapdragon 835. Bộ vi xử lý này được xây dựng trên quy trình sản xuất 10nm FinFET của Samsung vừa được khởi động trong tháng 10/2016. Tuy nhiên, chính công nghệ này đang là thứ bị cho là đã vi phạm bằng sáng chế của Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc (KAIST).
KAIST chính là đơn vị đã phát triển thành công tiến trình sản xuất 10nm FinFET, nhưng có lẽ khi Samsung mời Giáo sư trường Đại học quốc gia Seoul - Lee Jong-ho về phát triển FinFET, công nghệ này đã được đem lên con chip Snapdragon 835.
Hiện tại KAIST mới chỉ cho phép Intel sử dụng công nghệ của họ vì vậy khả năng Samsung sẽ phải chịu khoản phí bồi thường không nhỏ để tiếp tục sử dụng Snapdragon 835 trên các thiết bị của họ.
Theo Phonearena
