Samsung vừa tuyên bố họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip di động dựa trên quy trình FinFET 10-nanometer. Điều này đồng nghĩa với việc những con chip Exynos thế hệ tiếp theo (và cả đối thủ của nó nếu cũng sử dụng quy trình 10nm) sẽ được cải thiện đáng kể hiệu suất và khả năng tiết kiệm pin khi hoạt động.
Năm ngoái, ngành công nghiệp sản xuất chip đón chào một cột mốc quan trọng khi Intel tuyên bố phát hành thế hệ thứ 3 của dòng chip sản xuất dựa trên quy trình 14nm – phá vỡ như quy tắc của định luật Moore (nhưng chỉ trên lĩnh vực sản xuất chip dành cho máy tính để bàn).
Samsung nhiều khả năng sẽ là công ty đầu tiên sản xuất hàng loạt bộ vi xử lí di động dựa trên quy trình 10nm, trong đó sử dụng công nghệ được gọi là “cấu trúc bóng bán dẫn 3D tiên tiến”. Những tin đồn trước đây cũng khẳng định con chip Exynos 8895 mà Samsung dự kiến trang bị cho Galaxy S8 sẽ được sản xuất theo quy trình 10nm.
Theo Samsung, thế hệ chip mới có thể cung cấp hiệu suất tốt hơn 30% so với chip 14nm hiện nay (với cùng kích thước) và sử dụng năng lượng tiết kiệm hơn 40%.
Bên cạnh Samsung, Qualcomm cũng nhiều khả năng sẽ trình làng con chip Snapdragon 830 trong năm tới với quy trình sản xuất 10nm. Nếu cả hai công ty này cùng thành công với việc đưa vào sản xuất hàng loạt chip theo quy trình 10nm thì cũng có nghĩa là hầu hết điện thoại thông minh hàng đầu trong năm tới sẽ sử dụng những con chip mới này.
Samsung cho biết thế hệ chip 10nm thứ 2 với nhiều cải tiến hơn nữa về kiến trúc cũng sẽ được phát hành trong năm 2017.
Theo Trí Thức Trẻ
