Hiện tại, các bộ vi xử lý hàng đầu thế giới đang được sản xuất theo quy trình 10 nm. Samsung là một trong số các nhà sản xuất chip đã nắm được công nghệ này. Khi thu nhỏ kích thước bộ vi xử lý, muốn tăng hiệu năng hoạt động cũng như sức mạnh tính toán, người ta sẽ phải “cắm” nhiều transistor hơn. Điều này liên quan đến định luật Moore, được ông Gordon Moore là đồng sáng lập hãng Intel đưa ra từ năm 1965. Ông Moore phát biểu rằng: cứ sau hai năm, số lượng transistor trên mỗi inch vuông của mạch bán dẫn sẽ tăng gấp đôi.
Samsung đã đưa ra một lộ trình cho thấy hãng đang có kế hoạch giảm quy trình sản xuất từ 10 nm xuống còn 4 nm. Theo bài trình bày tại Samsung Foundry Forum, bước tiếp theo của Samsung là sản xuất chip 8 nm sử dụng quy trình Low Power Plus. Quy trình 7 nm sẽ áp dụng công nghệ in vi mạch Extreme Ultra Violet. Khi Samsung làm chủ được quy trình sản xuất 6 nm, nó sẽ sử dụng một giải pháp Smart Scaling mới, cho một mức tiêu thụ điện năng cực kỳ thấp.
Samsung cho biết sẽ tiếp tục cải tiến công nghệ để sản xuất chip 5 nm. Quy trình 4 nm Low Power Plus sẽ lần đầu tiên áp dụng một kiến trúc gọi là Multi Bridge Channel FET. Nó thuộc về công nghệ Gate All Around FET của Samsung, được thiết kế để khắc phục những giới hạn về kích thước và hiệu năng của kiến trúc FinFET.
Giảm quy trình từ 10 nm xuống 4 nm sẽ rất tốn thời gian, và sẽ có những trở ngại và vấn đề phát sinh. Tuy nhiên, khi mà Samsung vẫn tiếp tục kiên định với mục tiêu của mình, người dùng sẽ được hưởng lợi từ những thiết bị di động có hiệu suất cao hơn và tiêu thụ ít năng lượng hơn.
