Rò rỉ kết quả thử nghiệm Snapdragon 835

Điểm số hiệu năng xử lý, tính toán đo bằng Geekbench cho thấy mẫu SoC hàng khủng Snapdragon 835 kết quả thực sự chẳng mấy ấn tượng.
Rò rỉ kết quả thử nghiệm Snapdragon 835
Rò rỉ kết quả thử nghiệm Snapdragon 835

Tính đến thời điểm này, Snapdragon 835 được xem là mẫu SoC cao cấp nhất được nhà sản xuất bộ xử lý di động Mỹ Qualcomm thiết kế nhằm cạnh tranh với các đối thủ tầm cỡ. Mẫu SoC Snapdragon 835 dự kiến sẽ sớm hiện diện trên các mẫu smartphone cao cấp ra mắt trong nằm 2017. Theo lộ trình, các đặc tả kỹ thuật chi tiết của mẫu SoC hàng khủng Snapdragon 835 sẽ sớm được công bố vào tháng 1/2017 trong khuôn khổ triển lãm thường niên CES 2017.

Tuy chưa chính thức xuất hiện trên thị trường, nhưng Snapdragon 835 mới đây đã lộ kết quả thử nghiệm hiệu năng đo bằng công cụ Geekbench. Đáng tiếc là những điểm số mà Snapdragon 835 đạt được đã không đủ sức khiến giới công nghệ đam mê smartphone phải trầm trồ. Cụ thể hơn, Snapdragon 835 chỉ đạt 1.844 điểm trong phép thử hiệu năng đơn nhân và 5.426 điểm trong phép thử hiệu năng xử lý tính toán đa nhân. Với kết quả này, Snapdragon 835 chưa cho thấy nhiều cách biệt vì được biết mẫu SoC Snapdragon 821 trước đây từng cho điểm số hiệu năng cũng ngang ngửa với kết quả mà Snapdragon 835 đạt được. Không chỉ vậy, kết quả mà Snapdragon 835 đạt được thậm chí còn thấp hơn cả mẫu SoC Kirin 960 của Huawei vốn đạt 1.949 điểm (đơn nhân) và 6.439 điểm (đa nhân).

Kết quả hiệu năng xử lý đơn nhân và đa nhân của mẫu SoC Qualcomm Snapdragon 835.
Kết quả hiệu năng xử lý đơn nhân và đa nhân của mẫu SoC Qualcomm Snapdragon 835.

Được biết, Qualcomm Snapdragon 835 hồi đầu tháng 12/2016 từng lộ kết quả thử nghiệm hiệu năng tổng thể đo bằng Antutu cho thấy mẫu SoC hàng khủng này qua mặt cả đối thủ A10 của Apple. Theo giới quan sát, rất có thể trong lần thử nghiệm hiệu năng dùng Geekbench lần này, hệ thống thử nghiệm mẫu SoC Snapdragon 835 đã không giúp phát huy hết sức mạnh của bộ xử lý di động hàng khủng này. Hy vọng Snapdragon 835 khi chính thức ra mắt sẽ không khiến người hâm mộ dòng SoC hàng hiệu Mỹ này phải thất vọng.

Tính đến thời điểm này, Snapdragon 835 được cho là sẽ sản xuất theo quy trình 10nm của Samsung. Mẫu SoC hàng khủng của Qualcomm cũng sẽ hỗ trợ công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4 vốn có thể cho thời gian dùng pin lên đến 5 giờ chỉ trong 5 phút sạc. Cách đây không lâu, kết quả thử nghiệm hiệu năng đồ họa GFXBench từng cho thấy mẫu SoC Snapdragon 835 sử dụng nhân đồ họa Adreno 540 và có thể cho hiệu suất xử lý đồ họa nhanh hơn 30% so với nhân đồ họa Adreno 530 mà Qualcomm trang bị trên Snapdragon 820 và Snapdragon 821.

Theo PC World VN