Snapdragon 845 sẽ sử dụng kiến trúc 7nm, có mặt trong Galaxy S9

VietTimes – Một số nguồn tin gần đây cho biết vi xử lý cao cấp thế hệ mới của Qualcomm sẽ là Snapdragon 845, sử dụng kiến trúc 7 nanomet. Vi xử lý này được cho là sẽ mặt trên Samsung Galaxy S9 ra mắt vào năm 2018.
Đăng Khoa - /
Vi xử lý cao cấp thế hệ tiếp theo của Qualcomm sẽ là Snapdragon 845Vi xử lý cao cấp thế hệ tiếp theo của Qualcomm sẽ là Snapdragon 845

Tháng trước, đã có tin đồn rằng Samsung và TMSC đang cạnh tranh để được chỉ định là nhà sản xuất vi xử lý thế hệ mới của Qualcomm. Vi xử lý này sẽ có mặt trên thị trường ngay đầu năm 2018, có nghĩa là Samsung sẽ sớm sử dụng con chip Snapdragon 845 cho mẫu điện thoại Galaxy S9. “Đại gia” điện tử Hàn Quốc sẽ trở lại với khung thời gian giới thiệu sản phẩm trước đây đã từng áp dụng, tức là sẽ giới thiệu Galaxy S9 tại triển lãm và hội thảo MWC 2018 diễn ra từ 26/2 đến 1/3/2018. (Đáng lẽ Galaxy S8 năm nay cũng được ra mắt ở MWC, nhưng do Samsung cần kiểm tra kỹ càng hơn về pin nên đã lùi ngày ra mắt xuống tháng 3/2017).

Một số vi xử lý khác cũng sẽ được sản xuất với công nghệ 7 nanomet trong năm 2018, đó là các vi xử lý Kirin của Huawei, MediaTek và Nvidia. Vi xử lý cao cấp nhất hiện nay là Snapdragon 835 đang được sản xuất với quy trình 10 nanomet. Giảm xuống còn 7 nanomet sẽ làm tăng hiệu suất lên từ 25 - 35%. Kích cỡ vi xử lý cũng sẽ được giảm xuống, đồng nghĩa với các smartphone sử dụng Snapdragon 845 cũng sẽ có kích thước nhỏ gọn hơn.

Ngày 9/5 tới Qualcomm dự kiện sẽ giới thiệu vi xử lý Snapdragon 660, thuộc phân khúc tầm trung. Vi xử lý này sẽ được tích hợp trong smartphone Samsung Galaxy C mới, Xiaomi Redmi Pro 2, Xiaomi Mi Max 2, Oppo R11, Vivo X9s Plus, Nokia 7 và Nokia 8. Vi xử lý 660 bao gồm bốn lõi Cortex-A73 xung nhịp 2,3 GHz và bốn lõi Cortex-A53 xung nhịp 1,9 GHz. Chip đồ họa trên bo mạch chủ sẽ là Adreno 512 kèm theo modem X10 LTE. Vi xử lý này hỗ trợ sạc nhanh Quick Charge 4.0, RAM RAM LPDDR4X 1866 MHz và bộ nhớ lưu trữ UFS 2.1.

Tin liên quan

Có thể bạn quan tâm

Close